电离辐射和核酸内切酶诱发DNA双链断裂作为致癌致畸致突和细胞死亡的临界损伤

Obe G et al

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电离辐射和核酸内切酶诱发DNA双链断裂作为致癌致畸致突和细胞死亡的临界损伤

  • 摘要: 本文综述了低传能线密度(LET)电离辐射、胰脱氧核糖核酸酶(DNaseⅠ)和限制性内切酶(RE)引起DNA双链断裂(DSB)末端基团化学结构的改变。这些均为细胞毒因子,与细胞周期无关,可使体外哺乳动物细胞产生染色体畸变,也可引起基因突变和细胞癌变。核酸内切酶引起的染色体畸变可作为低密度电离辐射引起染色体畸变的模型。
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电离辐射和核酸内切酶诱发DNA双链断裂作为致癌致畸致突和细胞死亡的临界损伤

摘要: 本文综述了低传能线密度(LET)电离辐射、胰脱氧核糖核酸酶(DNaseⅠ)和限制性内切酶(RE)引起DNA双链断裂(DSB)末端基团化学结构的改变。这些均为细胞毒因子,与细胞周期无关,可使体外哺乳动物细胞产生染色体畸变,也可引起基因突变和细胞癌变。核酸内切酶引起的染色体畸变可作为低密度电离辐射引起染色体畸变的模型。

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