摘要: 受到低剂量电离辐射离体照射的人体外周血淋巴细胞的细胞遗传学研究表明,分析数百个细胞就可以检查出染色体损伤的显著水平。例如,发现未经照射的对照血细胞的双着丝点和环的畸变率是1/1000,离体照射30拉德X线后大约增加20倍,在0~50拉德范围内,畸变发生率呈线性增加,没有阈剂量水平迹象。在较高照射水平,剂量平方项的贡献变得更明显,因此在较高的剂量范围,这些畸变产额可近似于剂量的平方数。相反,离体血细胞受高线性能量转移辐射如0.7~0.9百万电子伏特裂变中子照射后,畸变率在一个宽的剂量范围内呈线性增加,这样的辐射比起X线更为有效,在整个剂量水平范围(低于几百拉德)每单位吸收剂量产生的畸变要少于每个细胞单个双着丝点畸变的平均数。